ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)

С.Н.Гриняев, А.Н.Разжувалов

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия

(Получена 2 сентября 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.

 PDF версия (274Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster