ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности рассеяния электронов на гетерограницах AlxGa1-xAs/AlAs(001)

С.Н.Гриняев, Г.Ф.Караваев, В.Н.Чернышов

Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 2 сентября 2002 г. Принята к печати 3 сентября 2002 г.)

Исследован эффект полного отражения электронной волны от гетерограницы для структур AlxGa1-xAs/AlAs. Анализ проведен на основе расчетов по методу псевдопотенциала, а также аналитически и численно в рамках упрощенной трехдолинной модели. Показано, что появление нуля в коэффициенте прохождения электронов через гетерограницу AlxGa1-xAs/AlAs, обнаруживаемое при некоторой энергии в интервале между дном X1-долины AlAs и X1-долины AlxGa1-xAs, обусловлено многодолинным характером энергетического спектра электронов. Установлено, что это полное отражение реализуется за счет взаимной компенсации вкладов от различных долин и не связано с каким-либо резонансным интерфейсным состоянием.

 PDF версия (220Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster