ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Полупроводниковые свойства CrSi2 с деформированной решеткой

А.В.Кривошеева, В.Л.Шапошников, А.Е.Кривошеев, А.Б.Филонов, В.Е.Борисенко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
22013 Минск, Белоруссия

(Получена 2 сентября 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Методом линейных присоединенных плоских волн исследовано влияние изотропных и анизотропных деформаций на электронные и оптические свойства полупроводникового дисилицида хрома CrSi2. Установлено, что соединение является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны ~0.3 эВ. Обнаружено, что тенденции изменения переходов под действием деформаций аналогичны, однако в случае анизотропной деформации носят выраженный нелинейный характер, при этом растяжение решетки до 106% вдоль оси a приводит к появлению прямого перехода.

 PDF версия (452Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster