Приведены результаты исследований физических процессов, вызывающих возникновение рекомбинационной неустойчивости тока в кремниевых эпитаксиальных $p+-n$-структурах с локальным контактом на $n$-области структуры, получаемым посредством введения примесных атомов, создающих в запрещенной зоне кремния глубокие энергетические уровни.

На основе исследования неустойчивости тока определены параметры (плотность, энергетическое положение, сечение захвата электрона) глубоких центров, создаваемых в кремнии оловом, свинцом, кадмием и никелем.