ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Трансформация параметров фазового перехода полупроводник--металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия

В.А.Климов, И.О.Тимофеева, С.Д.Ханин, Е.Б.Шадрин , А.В.Ильинский *, Ф.Сильва-Андраде *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Автономный университет г. Пуэбла,
Мексика

(Получена 22 июля 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и емкости аморфных и поликристаллических пленок диоксида ванадия при фазовом переходе полупроводник--металл (ФППМ). С помощью атомно-силового микроскопа изучена морфология этих пленок. Установлено, что небольшое число (2-3) термоциклирований аморфной пленки приводит к исчезновению проявлений фазового перехода, что связывается с диффузией кислорода из кластеров, состоящих из VO2, в примыкающие к ним кластеры, состоящие из низших окислов ряда Магнели. Показано, что отжиг аморфной пленки диоксида ванадия в атмосфере кислорода приводит к доокислению низших окислов до VO2, поликристаллизации пленки и восстановлению проявлений ФППМ. По результатам этих исследований, а также по данным, полученным на атомно-силовом микроскопе, сделан вывод о высоком оптическом качестве поликристаллических пленок диоксида ванадия, полученных из аморфных пленок методом термокристаллизации, и установлена их пригодность для использования в окиснованадиевых интерферометрах и оптических ограничителях.

 PDF версия (382Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster