ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Магомедов Я.Б., Айдамиров М.А. Структурное разупорядочение и соотношение Видемана--Франца в расплавах некоторых полупроводников типа A^IIB^IVC^V₂	385

Электронные и оптические свойства полупроводников
Климов В.А., Тимофеева И.О., Ханин С.Д., Шадрин Е.Б., Ильинский А.В., Сильва-Андраде Ф. Трансформация параметров фазового перехода полупроводник--металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия	388
Муравский Б.С., Куликов О.Н., Черный В.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных $p$ ⁺-n-структурах с локально введенными в $n$ -область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе	393
Вейс А.Н., Нащекин А.В. Оптическое отражение в твердых растворах (Pb_{\kern 1pt0.78}Sn_{\kern 1pt0.22})_1-xIn_{\kern 1ptx}Te с высоким содержанием индия	398
Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Кривошеев А.Е., Филонов А.Б., Борисенко В.Е. Полупроводниковые свойства CrSi₂ с деформированной решеткой	402
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Электрофизические свойства InAs, облученного протонами	408
Гнатюк В.А., Городниченко Е.С. Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb	414
Астрова Е.В., Perova T.S., Толмачев В.А., Ременюк А.Д., Vij J., Moore A. Двулучепреломление инфракрасного света в искусственном кристалле, полученном с помощью анизотропного травления кремния	417
Лукьяница В.В. Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния	422

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnIn₂Se₄	432
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Особенности рассеяния электронов на гетерограницах Al_xGa_1-xAs/AlAs(001)	435
Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и *gamma* -квантами	443
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/Al_xGa_1-xN(0001)	450
Ардышев М.В., Ардышев В.М. Характеристики арсенидгаллиевых структур и приборов Ганна на их основе, изготовленных с применением радиационно-термической технологии	456
Валах М.Я., Джаган В.Н., Матвеева Л.А., Оберемок А.С., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А. Исследования влияния углерода на свойства гетероструктур Si / SiGe	460
Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Федотова И.В., Федотов А.Б. Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей и тыльной сторон подложки монокристаллического GaAs	465
Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Маслянчук Е.Л., Мотущук В.В. Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe : V	469
Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев О.А., Светличный А.М., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В. Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21 $R$ -SiC	473

Низкоразмерные системы
Тысченко И.Е., Талочкин А.Б., Черков А.Г., Журавлев К.С., Мисюк А., Фельсков М., Скорупа В. Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge⁺ в пленки SiO₂ и последующим отжигом под гидростатическим давлением	479

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Жаркий С.М., Карабутов А.А., Пеливанов И.М., Подымова Н.Б., Тимошенко В.Ю. Исследование слоев пористого кремния лазерным ультразвуковым методом	485
Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И., Думитраче Ф., Морошану К. Рамановская спектроскопия аморфного углерода, модифицированного железом	490
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока	494

Физика полупроводниковых приборов
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Кузнецов А.Н., Соловьев В.А., Полетаев Н.К. $3C$ -SiC $p-n$ -структуры, полученные методом сублимации на основе подложек $6H$ -SiC	499
Астахова А.П., Баранов А.Н., Висе А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Стоянов Н.Д., Черняев А., Яреха Д.А., Яковлев Ю.П. Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона $2.0-2.4$ мкм	502

Персоналии
*Владимир Иванович Иванов-Омский ( к 70-летию со дня рождения* )**	508