ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии

В.М.Корнилов , А.Н.Лачинов

Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук,
450075 Уфа, Россия

(Получена 7 февраля 2002 г. Принята к печати 10 сентября 2002 г.)

Представлены результаты исследования методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе поверхности кремния с тонким слоем окисла. Показано, что туннельный ток может представлять собой суперпозицию нескольких составляющих, что позволяет говорить о регистрации не истинного изображения поверхности, а псевдорельефа. Установлены основные закономерности модификации псевдорельефа. При положительной полярности на образце формируется изображение в виде впадин, при отрицательной --- в виде возвышенностей. Сделано предположение об электронной природе наблюдаемой модификации, которое подтверждается возможностью осуществления циклов \glqq запись--стирание--запись\grqq изображения на одном и том же участке поверхности. Обсуждается механизм модификации поверхности кремния в модели структуры диэлектрик--окисел--полупроводник, где роль диэлектрика может играть слой адсорбата.

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster