ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag

А.Н.Грузинцев , В.Т.Волков, Е.Е.Якимов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 1 июля 2002 г. Принята к печати 2 июля 2002 г.)

Исследовано влияние на люминесценцию и фотопроводимость пленок оксида цинка легирования акцепторными примесями Cu и Ag с различной концентрацией 1, 3 и 5 ат%. Методом электронно-лучевого испарения при оптимальных режимах получены пленки с преобладанием люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что внедрение меди дает три типа точечных дефектов в ZnO: CuZn(3d10); CuZn(3d9) и Cui, а серебра --- один тип: AgZn(3d10). Обнаружено выделение фазы оксида серебра при максимальной концентрации примеси. Внедрение примеси приводит к резкому возрастанию сопротивления и фоточувствительности пленок.

 PDF версия (130Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster