ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Тонкая структура длинноволнового края экситон-фононного поглощения и гиперболические экситоны в карбиде кремния политипа 6H

А.П.Крохмаль

Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко,
01033 Киев, Украина

(Получена 7 мая 2002 г. Принята к печати 17 июня 2002 г.)

Исследована тонкая структура поляризационных спектров длинноволнового края экситон-фононного поглощения в относительно чистых кристаллах 6H-SiC n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсированных доноров ND-NA=(1.7-2.0)·1016 см-3 при температуре T=1.7 K. Анализ новых особенностей края поглощения и четкое начало экситон-фононных струпенек с эмиссией фононов из акустических и оптических ветвей позволил уточнить такие важные параметры в 6H-SiC, как ширину запрещенной зоны, ширину экситонной запрещенной зоны, энергию связи экситона, а также энергии спин-орбитального и кристаллического расщепления экситона. В поляризации E|| Z(C) (вектор электрического поля параллелен оптической оси кристалла) впервые обнаружены переходы с эмиссией LA-фононов в 1S-экситонное состояние с законом дисперсии типа M1. Тем самым подтверждена ранее теоретически предсказанная \glqq двухъямная\grqq структура минимума зоны проводимости в 6H-SiC.

 PDF версия (124Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster