ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda=1.55 мкм)

Г.В.Скрынников, Г.Г.Зегря, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 июня 2002 г. Принята к печати 19 июня 2002 г.)

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего квантового выхода стимулированного излучения лазерных диодов на основе двойных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения (lambda=1.5-1.6 мкм). Лазерные гетероструктуры с различным дизайном волноводного слоя изготавливались методом МОС-гидридной эпитаксии. Максимальное значение внутреннего квантового выхода стимулированного излучения etaist~ 97% было достигнуто в структуре с двойным ступенчатым волноводом, характеризующейся минимальными утечками в p-эмиттер за порогом генерации. Высокое значение etaist обусловлено низкими пороговой концентрацией и концентрацией неравновесных носителей на границе волновод p-эмиттер.

Расчет значений etaist для исследуемых лазеров дал хорошее согласие с данными, полученными из эксперимента.

 PDF версия (123Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster