ФТП, 2003, том 37, выпуск 2: page 238...

ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe

Л.А.Косяченко, И.М.Раренко, З.И.Захарчук, В.М.Склярчук, Е.Ф.Склярчук,
И.В.Солончук, И.С.Кабанова, Е.Л.Маслянчук

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 27 февраля 2002 г. Принята к печати 25 апреля 2002 г.)

Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла

p

-Cd

_1-xZn

_xTe (

x=0.05

). В рамках модели генерации--рекомбинации носителей Саа--Нойса--Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов.