Методом Монте-Карло проведено моделирование электронного транспорта в двойных квантовых ямах гетероструктуры Al$$_xGa$$_1-xAs/GaAs/In$$_yGa$$_1-yAs в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Показано, что в условиях междолинного $$Gamma-L-переноса электронов возникает инверсная заселенность между первой и второй подзонами размерного квантования $$Gamma-долины. Инверсная заселенность этих подзон возникает начиная с полей 4 кВ/см при 77 K и 5.5 кВ/см при 300 K. Оценка коэффициента усиления излучения в сверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, дала значение порядка 100 см$-1$ для длины волны 12.6 мкм.