ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция квантовых ям и квантовых точек германия в кремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии

Т.М.Бурбаев, В.А.Курбатов , А.О.Погосов, М.М.Рзаев, Н.Н.Сибельдин

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 28 мая 2002 г. Принята к печати 3 июня 2002 г.)

Исследована низкотемпературная (при 2 K) фотолюминесценция Si/Ge-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах (250-350oC) осаждения германия. Обнаружены существенные изменения в спектрах люминесценции, когда средняя толщина слоя германия превышает 6 монослоев: линия излучения псевдоморфного слоя (квантовой ямы), сохраняя свое спектральное положение, возрастает по интенсивности за счет линии люминесценции островков (квантовых точек), которая при этом полностью исчезает. Полученные результаты показывают, что механизм низкотемпературного эпитаксиального роста заметно отличается от реализующегося при обычно используемых температурах роста (500-700oC).

 PDF версия (118Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster