ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии

Ю.Н.Дроздов , Н.В.Байдусь *, Б.Н.Звонков *, М.Н.Дроздов, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 18 декабря 2001 г. Принята к печати 15 апреля 2002 г.)

Исследовано распределение атомов индия в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs / GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Экспериментальные профили распределения индия были получены методом оже-электронной спектрометрии. Для вычисления профилей использовалась модель роста с учетом сегрегации индия и модель оже-профилирования. Согласование вычисленных и экспериментальных профилей позволило оценить энергии активации процессов обмена In--Ga в рамках кинетической модели сегрегации. Полученные значения оказались несколько выше, чем известные для молекулярно-пучковой эпитаксии, что связано со стабилизацией ростовой поверхности атомами водорода в газофазном реакторе.

 PDF версия (176Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster