ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование барьера в гетероструктуре <собственный окисел>--p-InSe. Электрические и фотоэлектрические свойства

С.И.Драпак , В.Б.Орлецкий, З.Д.Ковалюк, В.В.Нетяга

Институт проблем материаловедения им. Францевича,
Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина

(Получена 13 февраля 2002 г. Принята к печати 2 июля 2002 г.)

На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>--p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окисленных на протяжении  =<sssim30 мин при T=400oC, происходит формирование барьера. При увеличении времени окисления до 60 мин барьер в основном сформирован, причем пленка окисла двухслойная с различным химическим составом на поверхности и на границе раздела. Наибольшие значения отношения сигнал/шум получены при полуторачасовом окислении базового материала (T=400oC) в основном из-за малых значений темнового тока, которые реализуются в таких структурах благодаря развитию достаточно однородной высокоомной прослойки. При окислении p-InSe более 100 мин состав окисла становится однородным, однако при этом изменяется тип проводимости базового полупроводника, что приводит к уменьшению высоты барьера, увеличению темнового тока и, как следствие, ухудшению фотоэлектрических параметров.

 PDF версия (182Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster