ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Токоперенос в диодных структурах Fe--p-InP

С.В.Слободчиков, Х.М.Салихов, Б.Е.Саморуков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 июня 2002 г. Принята к печати 27 июня 2002 г.)

Исследован механизм токопрохождения в диодных структурах Fe--p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция в дрейфовом приближении в высокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отрицательный фотоответ) и резкого роста дифференциального сопротивления в магнитном поле.

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster