ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Создание и свойства фоточувствительных структур на монокристаллах ZnIn2S4

А.А.Вайполин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков, N.Fernelius **

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
** Air Force Wright Lab.,
Wright Patterson AFB, OH, USA

(Получена 10 июня 2002 г. Принята к печати 17 июня 2002 г.)

Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn2S4. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn2S4, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и полученных структур. Сделаны выводы о возможностях практического применения поверхностно-барьерных структур и гетеропереходов из ZnIn2S4 в качестве широкополосных фотодетекторов естественного излучения.

 PDF версия (119Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster