ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe

С.И.Драпак , В.А.Манассон*, В.В.Нетяга, З.Д.Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. Францевича, Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина
* Antena Development,
Waveband Corporation, Torrance, Ca. 90501, USA

(Получена 16 апреля 2002 г. Принята к печати 29 мая 2002 г.)

Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, а при освещении структуры также --- и при обратном смещении.

 PDF версия (187Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster