ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Примесная зона в кристаллах Hg3In2Te6, легированных кремнием

П.Н.Горлей, О.Г.Грушка

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 23 апреля 2002 г. Принята к печати 27 июня 2002 г.)

На основе данных оптических и электрических измерений исследовано влияние примеси кремния на зонный спектр полупроводникового соединения Hg3In2Te6, имеющего в своей структуре большую концентрацию стехиометрических вакансий. Показано, что кремний образует примесную зону донорных центров, плотность которых аппроксимируется гауссовым распределением с максимумом при Ec-0.29 эВ. Возникновение примесной зоны сопровождается образованием в запрещенной зоне (Eg=0.74 эВ) квазинепрерывного спектра локализованных состояний, плотность которых растет с уровнем легирования. Слияние всех состояний в сплошную полосу происходит при концентрации примеси NSi>4.5· 1017 см-3. Экспериментальные результаты объясняются эффектом самокомпенсации примеси, при котором донорные примесные состояния возникают одновременно с акцепторными состояниями дефектов.

 PDF версия (136Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster