ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции

К.Д.Глинчук , А.В.Прохорович

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 4 июня 2002 г. Принята к печати 18 июня 2002 г.)

Приведены аналитические выражения для нормированных низкотемпературных (T=1.8-4.2 K) интенсивностей полос люминесценции, обусловленных рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах, свободных дырок на мелких донорах, а также электронными переходами в донорно-акцепторных парах и связанных экситонах. Проанализированы различные возможности их использования для определения изменений концентраций мелких акцепторов и доноров при внешних воздействиях F. Проведено сравнение теоретических и используемых на опыте зависимостей нормированных низкотемпературных интенсивностей полос примесной, межпримесной и экситонной люминесценции от величины F.

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster