ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста

Ю.Ф.Ваксман , Ю.А.Ницук, Ю.Н.Пуртов, П.В.Шапкин *

Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова
65026 Одесса, Украина
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
117924 Москва, Россия

(Получена 25 апреля 2002 г. Принята к печати 17 июня 2002 г.)

Исследованы монокристаллы ZnSe : In и (ZnSe : In) : Zn, полученые методом свободного роста. Инверсия типа проводимости достигнута путем отжига кристаллов в атмосфере насыщенных паров селена. Впервые достигнута дырочная проводимость в кристаллах (ZnSe : In) : Zn, исходно имевших высокую электронную проводимость (3--5 Ом-1·см-1). Установлена природа донорных и акцепторных центров, ответственных за проводимость кристаллов.

 PDF версия (78Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster