ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ)

В.Н.Брудный, В.В.Пешев *

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
* Томский политехнический университет,
634034 Томск, Россия

(Получена 23 апреля 2002 г. Принята к печати 22 мая 2002 г.)

Исследована причина появления широкой U-полосы в спектрах, полученных методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) n-GaAs, облученного протонами (65 МэВ) и быстрыми нейтронами. Показано, что данная полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3 в пределах скоплений дефектов. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями.

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster