Представлены результаты исследований статической и высокочастотной проводимости монокристалла InSe в интервале температур 4.2--300 K. Измерения проводились при скорости изменения температуры 0.2---0.8 K/мин и при токах через образец до 10 мкА. Такие условия позволяют формироваться новым состояниям при фазовых превращениях и изменению размерности газа носителей. Возникающие при этом волны зарядовой плотности не проскальзывают в кристалле под действием электрического поля. Установлено существенное различие свойств монокристалла InSe в статическом и динамическом режимах.