ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H

И.А.Курова, Н.Н.Ормонт , А.Л.Громадин *

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
* Гиредмет,
109017 Москва, Россия

(Получена 17 мая 2002 г. Принята к печати 27 июня 2002 г.)

Исследовано влияние подсветки на изотермическую релаксацию медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (метастабильных электрически активных атомов примеси) в пленках a-Si : H, легированных бором. Было установлено, что при наличии подсветки кинетику релаксации этих метастабильных дефектов определяют не только процессы термического отжига и фотоиндуцированного образования, но и процесс фотоиндуцированного отжига.

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster