ФТП, 2003, том 37, выпуск 1: page 93...

ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрофизические свойства структур Si : H/ $p$ -Si, полученных имплантацией водорода

О.В.Наумова, И.В.Антонова, В.П.Попов, В.Ф.Стась

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 9 апреля 2002 г. Принята к печати 24 апреля 2002 г.)

Мультиэнергетичная (

3-24

кэВ) имплантация водорода (в интервале доз

5

· 10¹⁶-3· 10¹⁷ см

^-2) в пластины

p

-Si была использована для создания гидрированных слоев Si : H. Показано, что в результате имплантации формируются гетероструктуры Si : H/

p

-Si. После имплантации протекание тока через структуры контролируется механизмом Пула--Френкеля с энергией доминирующего эмиссионного центра

E

_c-0.89 эВ. Максимальной фоточувствительностью обладают структуры, облученные дозой водорода

3.2

· 10¹⁷ см

^-2 и отожженные в диапазоне температур

250-300

^o C. Ширина запрещенной зоны слоя Si : H составляет

E

_g~ 2.4 эВ, значение диэлектрической проницаемости

varepsilon~ 3.2. Плотность состояний вблизи уровня Ферми

(1-2)

· 10¹⁷ см

^-3 эВ

^-1.