ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe

С.Г.Гасан-заде , С.В.Старый, М.В.Стриха, Г.А.Шепельский

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
01650 Киев, Украина

(Получена 26 февраля 2002 г. Принята к печати 11 апреля 2002 г.)

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). В кристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. В кристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента Холла RH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.

 PDF версия (418Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster