ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек

В.А.Кульбачинский, Р.А.Лунин, В.А.Рогозин, В.Г.Мокеров, Ю.В.Федоров, Ю.В.Хабаров,
Е.Нарюми *, К.Киндо *, А.де Виссер $

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
* Университет Осака, Япония
$ Институт Ван-дер-Ваальса, Университет Амстердама, Нидерланды

(Получена 8 апреля 2002 г. Принята к печати 9 апреля 2002 г.)

Исследованы температурные зависимости сопротивления в интервале температура 0.7 K, эффект Холла и эффект Шубникова--де-Гааза в магнитных полях до 40 Тл, фотолюминесценция и морфология гетерограницы (с помощью атомного силового микроскопа) короткопериодных сверхрешеток InAs/GaAs в области дикритической и критической толщины Q=2.7 монослоев (МС) InAs, при превышении которой начинается процесс самоорганизованного роста квантовых точек InAs. Формирование слоев квантовых точек при превышении критической концентрации InAs Q=2.7 МС сопровождается переходом в проводимости от металлической к прыжковой. Установлено, что при толщинах InAs Q=0.33 и Q=2.0 МС интенсивность фотолюминесценции и подвижности электронов в структурах имеют ярко выраженный максимум. Наблюдена анизотропия проводимости, зависящая от толщины слоев осажденного InAs.

 PDF версия (632Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster