ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения

Н.Б.Строкан, А.М.Иванов, М.Е.Бойко, Н.С.Савкина, А.М.Стрельчук, А.А.Лебедев, Р.Якимовa*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Университет Линчепинга,
58183 Линчепинг, Швеция

(Получена 5 июня 2002 г. Принята к печати 17 июня 2002 г.)

Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже в первых попытках 60-х годов по замене газа в ионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу \glqq конкурентных\grqq материалов. В работе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе \glqq чистых\grqq пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и в случае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем в десятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается в диапазоне сотен микрометров.

 PDF версия (119Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster