ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей

М.А.Глауберман, В.В.Егоров, В.В.Козел, Н.А.Канищева

Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова,
65063 Одесса, Украина

(Получена 8 января 2002 г. Принята к печати 28 марта 2002 г.)

Представлена новая точка зрения на магниточувствительность транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей. Показано, что традиционное объяснение этого механизма, основывающееся на отклонении диффузионного потока носителей магнитным полем, существенно некорректно. А именно, ответственный за этот эффект член в уравнении непрерывности обращается в нуль и, таким образом, из традиционной теории следует отсутствие магниточувствительности при отсутствии электрического поля в базе. Этот факт проинтерпретирован физически как циркуляция возбужденных магнитным полем токов вдоль линий уровня в поле концентрации.

Предлагаемая теория предполагает задание граничных условий третьего рода на коллекторном переходе вместо условий Дирихле. При этом абсолютная чувствительность определяется разностью концентраций инжектированных нисителей между наиболее удаленными точками коллектора.

 PDF версия (202Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster