ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием

Х.Т.Игамбердиев, А.Т.Мамадалимов, Р.А.Муминов, Т.А.Усманов, Ш.А.Шоюсупов

Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека,
700174 Ташкент, Узбекистан

(Получена 12 марта 2002 г. Принята к печати 28 марта 2002 г.)

Фотоемкостным методом определены уровни ванадия в n- и p-Si. Показано, что в n-Si ванадий создает уровни только в верхней части запрещенной зоны с энергиями ионизации порядка Ec-0.21, Ec-0.52 эВ, в то время как в p-Si --- как в верхней, так и в нижней частях запрещенной зоны: Ec-0.26, Ev+0.31, Ev+0.42, Ev+0.52 эВ. Установлено, что для всех уровней ванадия сечения фотоионизации для электронов больше, чем для дырок. Показано, что концентрация электрически активных центров ванадия в n-Si и p-Si зависит как от концентрации примесей с мелкими уровнями, так и от времени диффузии ванадия в Si.

 PDF версия (91Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster