ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении

В.Н.Брудный , В.В.Пешев *

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
* Томский политехнический университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 14 марта 2002 г. Принята к печати 24 апреля 2002 г.)

При высокоэнергетическом радиационном воздействии в интервале 77-580 K выявлена сложная температурная зависимость эффективности накопления E-ловушек в нейтральной области и области пространственного заряда диодов Шоттки на основе n-GaAs при энергиях атомов отдачи, близких к пороговым энергиям образования радиационных дефектов. Количественно экспериментальные данные описаны в рамках модели метастабильной пары Френкеля, в которой учтены процессы аннигиляции, перезарядки и стабилизации пары Френкеля в материале в зависимости от электронного (зарядового) состояния ее компонент, определяемого положением уровня (квазиуровня) Ферми и температурой образца.

 PDF версия (227Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster