ФТП, 2002, том 36, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев *, М.А.Ременный, Н.М.Стусь,
Г.Н.Талалакин, В.В.Шустов, В.В.Кузнецов *, Е.А.Когновицкая *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 января 2002 г. Принята к печати 29 января 2002 г.)

Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и 640 мэВ (300 K) изопериодного с InAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход II рода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2002, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster