ФТП, 2002, том 36, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

<< Иммерсионные>> инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводников AIIIBV

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 2 октября 2001 г. Принята к печати 9 октября 2001 г.)

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов для диапазона длин волн 3.3-7 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои In(Ga)As, InAsSb(P) или InAs на подложке n+-InAs (ширина полосы ~ lambdamax/10) или InSb (ширина полосы ~1 мкм), в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. В светодиодах с иммерсионными линзами получен коэффициент преобразования 0.08-3 мВт/А, сравнимый или превосходящий данные для ряда инжекционных светодиодов.

 PDF версия (395Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2002, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster