ФТП, 2001, том 35, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0=<q x=<q 0.16)

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный,
Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 апреля 2001 г. Принята к печати 11 мая 2001 г.)

Исследованы фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твердого раствора InGaxAs в диапазоне составов 0=<q x=<q 0.16, полученных жидкофазной эпитаксией на подложках InAs (111), и электролюминесценция p-n-переходов на их основе в интервале температур 77--450 K. Показано, что, несмотря на отрицательное несоответствие периодов решетки эпитаксиального слоя и подложки, излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях определяется прямыми оптическими переходами, обеспечивающими высокий внутренний квантовый выход люминесценции (6%, 295 K).

 PDF версия (121Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2001, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster