ФТП, 2001, том 35, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda=3.3-4.3 мкм) в интервале температур 20-180oC (продолжение*)

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный,
Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 октября 2000 г. Принята к печати 6 октября 2000 г.)

Созданы и исследованы светодиоды на основе p-n-гомо- и гетероструктур с активными слоями из InAsSbP и InGaAs, мощностью излучения от 0.2 мВт (lambda=4.3 мкм) до 1.33 мВт (lambda=3.3 мкм) и коэффициентами преобразования от 30 (InAsSbP, lambda=4.3 мкм) до 340 мВт/А·см2 (двойная гетероструктура InAsSb/InAsSbP, lambda=4.0 мкм). С ростом тока наблюдалось уменьшение коэффициента преобразования, связанное в основном с джулевым разогревом p-n-гомопереходов. Насыщение мощности при увеличении тока в светодиодах на основе двойных гетероструктур не было связано с нагревом активной области. При повышении температуры светодиодов (lambda=3.3, 4.3 мкм) от 20 до 180oC происходило падение мощности излучения в 7 и 14 раз, достигая при 180oC значений 50 (1.5 A) и 7 мкВт (3 A) соответственно.

 PDF версия (212Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2001, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster